Samsung выпустила модуль памяти DDR4

Samsung представила свой первый модуль памяти DRAM DDR4, изготовленный по 30-нм техпроцессу. Новые чипы более экономично расходуют энергию, достигая скорости передачи данных до 2,133 Гбит/с (при напряжении 1,2 В). Новая архитектура при более высоком напряжении позволяет достигать скорости до 3,2 Гбит/с.

По производительности эту память можно сравнить с 30-нм модулями DDR3, которые достигают 1,6 Гбит/с при напряжении 1,35-1,5 В. При использовании в ноутбуках, модули DDR4 обеспечивают 40-процентное сокращение потребления энергии по сравнению с модулями DDR3 1,5 В.

Samsung уже распространила модули DDR4 емкостью 2 Гб для тестирования, однако, массовое производство пока не началось.

По данным сайта Electronista.